Interaction between hot carrier aging and PBTI degradation in nMOSFETs: Characterization, modelling and lifetime prediction
Interaction between hot carrier aging and PBTI degradation in nMOSFETs: Characterization, modelling and lifetime prediction
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nMOSFET 中热载流子老化和 PBTI 退化之间的相互作用：表征、建模和寿命预测
DOI：
10.1109/irps.2017.7936419
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Duan M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Duan M
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热载流子引起 CMOS 电流镜和电流源的退化
DOI：
10.1109/iedm.1996.554121
发表时间：
1996
期刊：
International Electron Devices Meeting. Technical Digest
影响因子：
--
作者：
R. Thewes;K. Goser;W. Weber
通讯作者：
W. Weber
影响因子：
3.1
作者：
Duan, Meng;Zhang, Jian Fu;Kaczer, Ben
通讯作者：
Kaczer, Ben
在存在统计变异性和可靠性的情况下基于仿真的晶体管-SRAM 协同设计
DOI：
10.1109/iedm.2013.6724741
发表时间：
2013
期刊：
2013 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
A. Asenov;B. Cheng;X. Wang;A. Brown;D. Reid;C. Millar;C. Alexander
通讯作者：
C. Alexander
开发一种技术，用于表征 SRAM 相关条件下偏置温度不稳定性引起的器件间变化
影响因子：
3.1
作者：
Duan M
通讯作者：
Duan M
HCI/BTI 耦合模型：准确和预测可靠性仿真的路径
DOI：
10.1109/irps.2014.6860673
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE International Reliability Physics Symposium
影响因子：
--
作者：
F. Cacho;P. Mora;W. Arfaoui;X. Federspiel;V. Huard
通讯作者：
V. Huard