An approach for determining thermal resistance model parameters of SiGe HBT
An approach for determining thermal resistance model parameters of SiGe HBT
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一种确定SiGe HBT热阻模型参数的方法
DOI：
10.1002/jnm.2616
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发表时间：
2019-05
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Jianjun Gao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Boran Wang;Ao Zhang;Yixin Zhang;Jianjun Gao
本文提出了一种改进的硅锗异质结双极晶体管热阻和结温测量方法。该方法是一个完全的分析过程，没有任何迭代的基础上一组精确的表达式。热阻测试对迭代和解析方法之前报道。三个不同的发射极几何形状的SiGe器件的模拟和测量结果之间得到了很好的一致性。
This paper presents an improved method for determining the thermal resistance and junction temperature for silicon germanium heterojunction bipolar transistors. This method is a full analytical procedure without any iteration based on a set of accurate expressions. The thermal resistance is tested against iterative and analytic methods reported before. Good agreement is obtained between simulated and measured results for three SiGe devices with different emitter geometries.
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影响因子：
3.1
作者：
V. d’Alessandro;G. Sasso;N. Rinaldi;K. Aufinger
通讯作者：
V. d’Alessandro;G. Sasso;N. Rinaldi;K. Aufinger
DOI：
10.1016/j.microrel.2016.06.005
发表时间：
2016-12
期刊：
Microelectron. Reliab.
影响因子：
--
作者：
V. d’Alessandro;A. Magnani;L. Codecasa;N. Rinaldi;K. Aufinger
通讯作者：
V. d’Alessandro;A. Magnani;L. Codecasa;N. Rinaldi;K. Aufinger
影响因子：
3.1
作者：
Abdelkader El Rafei;A. Saleh;R. Sommet;J. Nebus;Raymond Quéré
通讯作者：
Abdelkader El Rafei;A. Saleh;R. Sommet;J. Nebus;Raymond Quéré
DOI：
10.1109/bctm.2013.6798137
发表时间：
2013-09
期刊：
2013 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM)
影响因子：
--
作者：
A. Sahoo;S. Frégonèse;M. Weiss;C. Maneux;T. Zimmer
通讯作者：
A. Sahoo;S. Frégonèse;M. Weiss;C. Maneux;T. Zimmer
DOI：
10.1142/7257
发表时间：
2010-11
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
M. Schröter;A. Chakravorty
通讯作者：
M. Schröter;A. Chakravorty