Effects of surface treatment and annealing for Au/Ni/n-GaN Schottky barrier diodes
Effects of surface treatment and annealing for Au/Ni/n-GaN Schottky barrier diodes
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Au/Ni/n-GaN肖特基势垒二极管表面处理和退火的影响
DOI：
10.35848/1347-4065/abf5ab
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发表时间：
2021
影响因子：
1.5
通讯作者：
Edo Masaharu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shiojima Kenji;Tanaka Ryo;Takashima Shinya;Ueno Katsunori;Edo Masaharu
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影响因子：
4.1
作者：
A. Terano;Hiroyoshi Imadate;K. Shiojima
通讯作者：
A. Terano;Hiroyoshi Imadate;K. Shiojima
通过金属有机化学气相沉积生长的 n-GaN 上的亚微米肖特基接触评估电流-电压特性和位错之间的相关性
影响因子：
1.4
作者：
K. Shiojima;T. Suemitsu
通讯作者：
T. Suemitsu
缺陷密度对n型GaN肖特基接触电特性的影响
影响因子：
1.4
作者：
K. Shiojima;J. Woodall;C. J. Eiting;P. Grudowski;R. Dupuis
通讯作者：
R. Dupuis
W 欧姆接触与 n 型 GaN 的热稳定性
DOI：
--
发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Cole;D. Eckart;W. Han;R. Pfeffer;T. Monahan;F. Ren;C. Yuan;R. Stall;S. Pearton;Y. Li;Yicheng Lu
通讯作者：
Yicheng Lu
W、WSiN 和 Nb 与 p 型和 n 型 GaN 接触的电特性和热稳定性
影响因子：
2.1
作者：
K. Shiojima;D. Mcinturff;J. Woodall;P. Grudowski;C. J. Eiting;R. Dupuis
通讯作者：
R. Dupuis