Significant reduction of interface trap density of SiC PMOSFETs by post-oxidation H2O annealing processes with different oxygen partial pressures
Significant reduction of interface trap density of SiC PMOSFETs by post-oxidation H2O annealing processes with different oxygen partial pressures
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通过不同氧分压的氧化后 H2O 退火工艺显着降低 SiC PMOSFET 的界面陷阱密度
DOI：
10.35848/1347-4065/ab8e1f
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Mizuki Nishida and Koji Kita
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jun Koyanagi;Mizuki Nishida and Koji Kita
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具有高沟道迁移率的 P 沟道 SiC-IGBT 的制造
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.958
发表时间：
2013
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
S. Katakami;H. Fujisawa;K. Takenaka;H. Ishimori;S. Takasu;M. Okamoto;M. Arai;Y. Yonezawa;K. Fukuda
通讯作者：
K. Fukuda
影响因子：
4
作者：
H. Hirai;K. Kita
通讯作者：
H. Hirai;K. Kita
通过超高温栅极氧化和低氧分压冷却提高 4H-SiC n-MOSFET 的沟道迁移率
影响因子：
1.5
作者：
M. Sometani;Yoshihito Katsu;Daisuke Nagai;H. Tsuji;T. Hosoi;T. Shimura;Y. Yonezawa;Heiji Watanabe
通讯作者：
Heiji Watanabe
通过控制氧化条件抑制 4H-SiC/SiO2 界面副产物的生成（红外光谱表征）
影响因子：
2.3
作者：
H. Hirai;K. Kita
通讯作者：
K. Kita
采用超高温生长栅极氧化物的 4H-SiC(0001) p 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的性能改进
影响因子：
2.3
作者：
K. Moges;T. Hosoi;T. Shimura;Heiji Watanabe
通讯作者：
Heiji Watanabe