Development of electron beam ion source for nanoprocess using highly charged ions
Development of electron beam ion source for nanoprocess using highly charged ions
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使用高电荷离子开发用于纳米工艺的电子束离子源
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.A.Sakaue.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Sakurai;F.Nakajima;T.Fukumoto;N.Nakamura;S.Ohtani;S.Mashiko;H.A.Sakaue.
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由强烈、超快的电子激发形成的硅纳米结构中的激子色散
DOI：
10.1007/s00339-002-1814-9
发表时间：
2003
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
--
作者：
A. Hamza;M. W. Newman;P. Thielen;H.W.H. Lee;T. Schenkel;J. Mcdonald;D. Schneider
通讯作者：
D. Schneider
在高带电离子（高达 Th75）撞击表面后观察到高电子发射产率。
影响因子：
8.6
作者：
Mcdonald;Schneider;Clark;Dewitt
通讯作者：
Dewitt
影响因子：
1.4
作者：
T. Shinada;Y. Kumura;Jun Okabe;T. Matsukawa;I. Ohdomari
通讯作者：
I. Ohdomari
高电荷离子与硅表面相互作用的 DIET
影响因子：
1.9
作者：
Satoshi Takahashi;K. Nagata;M. Tona;M. Sakurai;N. Nakamura;C. Yamada;S. Ohtani
通讯作者：
S. Ohtani
使用非聚焦多电荷离子束在硅上制造氧化物纳米点和超薄层
影响因子：
1.4
作者：
G. Borsoni;M. Gros;M. Korwin;R. Laffitte;V. L. Roux;L. Vallier
通讯作者：
L. Vallier