Pt/SrBi2Ta2O9/HfO2/Si MFIS FETへのSiN 層挿入の効果
Pt/SrBi2Ta2O9/HfO2/Si MFIS FETへのSiN 層挿入の効果
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将 SiN 层插入 Pt/SrBi2Ta2O9/HfO2/Si MFIS FET 中的效果
DOI:
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发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
酒井 滋樹
中科院分区:
文献类型:
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作者:
堀内 健史;高橋 光恵;Shouyu Wang;Qiu-Hong Li;齊藤 丈靖;大橋 憲太郎;酒井 滋樹
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影响因子:
1.5
作者:
H. Choi;Yong;Seong;I. Choi
通讯作者:
I. Choi
影响因子:
3.2
作者:
Ito, D;Fujimura, N;Ito, T
通讯作者:
Ito, T
影响因子:
1.5
作者:
D. Shin;Ho Nyung Lee;Y. Kim;I. Choi;Byong
通讯作者:
Byong
DOI:
--
发表时间:
2002
期刊:
影响因子:
--
作者:
Joo;Jae;T. Oh
通讯作者:
T. Oh
影响因子:
1.5
作者:
K. Sakamaki;Tadahiko Hirai;T. Uesugi;H. Kishi;Y. Tarui
通讯作者:
Y. Tarui