Grown-in defects in heavily phosphorus-doped Czochralski silicon
Grown-in defects in heavily phosphorus-doped Czochralski silicon
复制标题
重度磷掺杂直拉硅中的生长缺陷
DOI：
10.1016/j.physb.2009.08.139
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发表时间：
2009-12
影响因子：
2.8
通讯作者：
Yang, Deren
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zeng, Yuheng;Chen, Jiahe;Ma, Xiangyang;Zeng, Zhidan;Yang, Deren
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影响因子：
3.2
作者：
W. Tiller;S. Hahn;F. Ponce
通讯作者：
W. Tiller;S. Hahn;F. Ponce
影响因子：
--
作者：
W. Shockley;J. Moll
通讯作者：
W. Shockley;J. Moll
影响因子：
3.9
作者：
W. Wijaranakula
通讯作者：
W. Wijaranakula
影响因子：
1.8
作者：
Voronkov, VV;Falster, R
通讯作者：
Falster, R
DOI：
10.1116/1.569117
发表时间：
1977
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
--
作者：
S. Hu
通讯作者：
S. Hu