Growth of Nitrogen-Polar 2H-AlN on Step-Height-Controlled 6H-SiC (000-1) Substrate by Molecular-Beam Epitaxy
Growth of Nitrogen-Polar 2H-AlN on Step-Height-Controlled 6H-SiC (000-1) Substrate by Molecular-Beam Epitaxy
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分子束外延在阶梯高度控制的 6H-SiC (000-1) 衬底上生长氮极性 2H-AlN
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J.Suda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H.Okumura;T.Kimoto;J.Suda
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影响因子：
4
作者：
Monroy, E;Sarigiannidou, E;Daudin, B
通讯作者：
Daudin, B
6H-SiC碳表面低温生长高质量AlN薄膜
DOI：
10.1002/pssr.200701246
发表时间：
2008
期刊：
physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters
影响因子：
--
作者：
Myungsung Kim;J. Ohta;A. Kobayashi;H. Fujioka;M. Oshima
通讯作者：
M. Oshima
C 端接 6H–SiC (0001´) 表面上 GaN 的分子束外延生长
影响因子：
4
作者：
Z. Guan;A. Cai;J. Cabalu;H. Porter;S. Huang
通讯作者：
S. Huang
6H-SiC 上生长的 2H-AlN 螺纹位错的产生机制 (0001)
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
奥村宏典;須田淳;木本恒暢
通讯作者：
木本恒暢
影响因子：
4
作者：
Wong, Man Hoi;Pei, Yi;Mishra, Umesh K.
通讯作者：
Mishra, Umesh K.