Single-electron transistors featuring silicon nitride tunnel barriers prepared by atomic layer deposition
Single-electron transistors featuring silicon nitride tunnel barriers prepared by atomic layer deposition
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采用原子层沉积制备的氮化硅隧道势垒单电子晶体管
DOI：
10.1109/ulis.2016.7440045
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Snider, Gregory L.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Karbasian, Golnaz;Orlov, Alexei O.;Mukasyan, Alexander S.;Snider, Gregory L.
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Ni-SiO2-Ni 隧道结中 SiO2 等离子体增强原子层沉积单电子晶体管的实验演示
DOI：
10.1116/1.4935960
发表时间：
2016
期刊：
and Films
影响因子：
--
作者：
Karbasian, Golnaz;McConnell, Michael S.;Orlov, Alexei O.;Rouvimov, Sergei;Snider, Gregory L.
通讯作者：
Snider, Gregory L.
隧道势垒原子层沉积纳米镶嵌金属单电子晶体管的制备
DOI：
10.1116/1.4932156
发表时间：
2015
期刊：
and Phenomena
影响因子：
--
作者：
Karbasian, Golnaz;Orlov, Alexei O.;Snider, Gregory L.
通讯作者：
Snider, Gregory L.
负微分电导在 Al/AlOx 单电子晶体管中用于背景电荷表征的应用
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. George;M. Pierre;X. Jehl;A. Orlov;M. Sanquer;G. Snider
通讯作者：
G. Snider
采用等离子体增强隧道势垒原子层沉积的金属单电子晶体管的制造
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
G. Karbasian
通讯作者：
G. Karbasian
使用电子束光刻和溶剂显影剂实现聚甲基戊二酰亚胺的高纵横比特征
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
G. Karbasian;P. Fay;H. Xing;D. Jena;A. Orlov;G. Snider
通讯作者：
G. Snider