Neutral beam etching for device isolation in AlGaN/GaN HEMTs
Neutral beam etching for device isolation in AlGaN/GaN HEMTs
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用于 AlGaN/GaN HEMT 器件隔离的中性束蚀刻
DOI：
10.1002/pssa.201600617
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Suemitsu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
F. Hemmi;C. Thomas;Y. C. Lai;A. Higo;A. Guo;S. Warnock;J. A. del Alamo;S. Samukawa;T. Otsuji;T. Suemitsu
在这篇文章中，我们报告了通过中性束（NB）刻蚀来抑制GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）的漏电流和提高隔离击穿电压。干法刻蚀过程中的等离子体损伤是导致GaN HEMT器件产生隔离漏电流、栅漏电流和电流崩塌的主要原因之一。由于NB蚀刻几乎不带电荷并且具有很少的UV光子，因此可以减少蚀刻表面上的等离子体损伤并改善器件特性。在这项工作中，我们将NB蚀刻引入GaN HEMT的器件隔离工艺，并在DC和阶跃应力偏置条件下表征隔离漏电流。我们还测量了两端测试元件阵列的击穿电压。我们将这些特性与通过常规类等离子体束（PB）蚀刻蚀刻的样品进行了比较。我们的研究结果表明，NB蚀刻减少了通过台面隔离的蚀刻表面的漏电流，从而导致上级击穿电压。
In this article, we report a suppression of leakage current and an improvement of isolation breakdown voltage on GaN‐based high electron mobility transistors (HEMTs) by means of neutral beam (NB) etching. The plasma damage during dry etching process is one of the key reasons for an isolation leakage current, gate leakage current, and current collapse in GaN HEMTs. Since NB etching is virtually free from electrical charges and has few UV photons, it is possible to reduce plasma damage on an etched surface and improve device characteristics. In this work, we introduced NB etching to the device isolation process of GaN HEMTs and characterized isolation leakage currents at DC and step‐stress bias conditions. We also measured the breakdown voltages on two‐terminal test element arrays. We compared the characteristics with samples etched by conventional plasma‐like beam (PB) etching. Our results suggest that NB etching reduces the leakage current through the etched surface of the mesa isolation, which results in superior breakdown voltages.
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DOI：
--
发表时间：
2008
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影响因子：
--
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通讯作者：
Wakana Hara
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10.1088/0022-3727/41/2/024006
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2008
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