Short Note: Deep single step vertical ICP-RIE etching of ion beam sputter deposited SiO2/Si multilayer stacks
Short Note: Deep single step vertical ICP-RIE etching of ion beam sputter deposited SiO2/Si multilayer stacks
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简短说明：离子束溅射沉积 SiO2/Si 多层堆叠的深度单步垂直 ICP-RIE 蚀刻
DOI：
10.1016/j.mee.2013.07.018
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发表时间：
2014
影响因子：
2.3
通讯作者：
H. Hillmer
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
F. Messow;C. Welch;A. Eifert;W. C. Ang;N. S. Hoe;T. Kusserow;H. Hillmer
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有机金属气相外延生长InGaAsP(1.3 μm)/InP垂直腔面发射激光器
DOI：
--
发表时间：
1990
期刊：
影响因子：
--
作者：
L. Yang;Mingcho Wu;K. Tai;T. Tanbun;R. Logan
通讯作者：
R. Logan
等离子体蚀刻中 SiO2 和 Si 相对蚀刻速率的控制
DOI：
--
发表时间：
1975
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Heinecke
通讯作者：
R. Heinecke
影响因子：
2.3
作者：
Welch, CC;Goodyear, AL;Mollenhauer, T
通讯作者：
Mollenhauer, T
影响因子：
2.2
作者：
Marty, F;Rousseau, L;Bourouina, T
通讯作者：
Bourouina, T
DOI：
10.1109/jstqe.2002.801692
发表时间：
2002-07-01
影响因子：
4.9
作者：
Emsley, MK;Dosunmu, O;Ünlü, MS
通讯作者：
Ünlü, MS