Quasiballistic electron transport in cryogenic SiGe HBTs studied using an exact, semi-analytic solution to the Boltzmann equation
Quasiballistic electron transport in cryogenic SiGe HBTs studied using an exact, semi-analytic solution to the Boltzmann equation
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使用玻尔兹曼方程的精确半解析解研究低温 SiGe HBT 中的准弹道电子传输
DOI：
10.1063/5.0063178
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发表时间：
2021
影响因子：
3.2
通讯作者：
Minnich, Austin J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Naik, Nachiket R.;Minnich, Austin J.
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通讯作者：
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