In-Situ Variability Characterization of Individual Transistors Using Topology-Reconfigurable Ring Oscillators
In-Situ Variability Characterization of Individual Transistors Using Topology-Reconfigurable Ring Oscillators
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使用拓扑可重构环形振荡器对单个晶体管进行原位可变性表征
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Hidetoshi Onodera
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.K.M. Mahfuzul Islam;and Hidetoshi Onodera
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可重构延迟单元，用于高效实现片上 MOSFET 监控方案的面积
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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作者：
A.K.M. Mahfuzul Islam;Tohru Ishihara;and Hidetoshi Onodera
通讯作者：
and Hidetoshi Onodera
用于管芯内可变性和 RTN 表征的非均匀环形振荡器
影响因子：
2.7
作者：
S. Fujimoto;A. Islam;Takashi Matsumoto;H. Onodera
通讯作者：
H. Onodera
MOS 器件中阈值电压波动的快速表征
DOI：
10.1109/icmts.2007.374458
发表时间：
2007
期刊：
2007 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures
影响因子：
--
作者：
K. Agarwal;S. Nassif;F. Liu;J. Hayes;K. Nowka
通讯作者：
K. Nowka
基于环形振荡器的技术，用于测量变异性统计数据
DOI：
10.1109/icmts.2006.1614281
发表时间：
2006
期刊：
2006 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures
影响因子：
--
作者：
M. Bhushan;M. Ketchen;S. Polonsky;A. Gattiker
通讯作者：
A. Gattiker
面积高效的可重构环形振荡器，用于静态和动态变化的器件和电路级表征
影响因子：
1.5
作者：
A. Islam;H. Onodera
通讯作者：
H. Onodera