Non-destructive thickness characterization of Si based heterostructure by X-ray diffraction and reflectivity
Non-destructive thickness characterization of Si based heterostructure by X-ray diffraction and reflectivity
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通过 X 射线衍射和反射率对硅基异质结构进行无损厚度表征
DOI：
10.1016/j.sse.2011.01.036
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发表时间：
2011
影响因子：
1.7
通讯作者：
Liu X
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu X
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使用 X 射线反射率和荧光技术表征 Si1-xGex 外延层中的纳米结构
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Kim;G. Kioseoglou;S. Huang;Y. Kao;Y. Soo;X. Zhu;Kang L. Wang
通讯作者：
Kang L. Wang
DOI：
--
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Komiya;N. Awaji;Y. Horii;H. Tomita
通讯作者：
H. Tomita
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影响因子：
2.1
作者：
J. Hartmann;A. Abbadie;D. Rouchon;J. Barnes;M. Mermoux;T. Billon
通讯作者：
T. Billon
氧化硅和氧化硅-氮化硅叠层结构极薄薄膜的 X 射线反射率研究
DOI：
--
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Santucci;A. Cecilia;A. DiGiacomo;R. Phani;L. Lozzi
通讯作者：
L. Lozzi
等离子体处理超低 k 薄膜密度的高分辨率同步加速器 X 射线反射率研究
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Yang;D. Lu;B. Murthy;H. Moser
通讯作者：
H. Moser