A novel gate drive circuit for high speed turn-on switching of ultra-low feedback capacitance SiC-VJFET
A novel gate drive circuit for high speed turn-on switching of ultra-low feedback capacitance SiC-VJFET
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一种新型栅极驱动电路，用于超低反馈电容SiC-VJFET的高速导通开关
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Yano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Kikuchi;T. Ishikawa;Y. Tanaka;K. Yano
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一种具有极低反馈电容的新型SiC-VJFET
DOI：
10.1109/ispsd.2013.6694476
发表时间：
2013
期刊：
2013 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD)
影响因子：
--
作者：
T. Ishikawa;Katsuya Nomura;T. Sugiyama;T. Uesugi;Koichi Nishikawa
通讯作者：
Koichi Nishikawa
具有超低 Crss 的 SiC 屏栅垂直 JFET (SiC-SGVJFET) 的实验演示
DOI：
10.1109/ispsd.2016.7520884
发表时间：
2016
期刊：
2016 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)
影响因子：
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作者：
K. Yano;T. Ishikawa;Yasunori Tanaka;T. Yatsuo;M. Yamamoto
通讯作者：
M. Yamamoto
用于增强型 SiC JFET 的改进两级直流耦合栅极驱动器
DOI：
10.1109/apec.2010.5433483
发表时间：
2010
期刊：
2010 Twenty-Fifth Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC)
影响因子：
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作者：
R. Kelley;A. Ritenour;D. Sheridan;J. Casady
通讯作者：
J. Casady
常关型碳化硅功率JFET在光伏逆变器中的应用
DOI：
10.1109/apec.2009.4802728
发表时间：
2009
期刊：
2009 Twenty-Fourth Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition
影响因子：
--
作者：
M. Mazzola;R. Kelley
通讯作者：
R. Kelley
关于理解和驱动 SiC 功率 JFET
DOI：
10.1109/apec.2011.5744727
发表时间：
2011
期刊：
2011 Twenty-Sixth Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC)
影响因子：
--
作者：
I. Abuishmais;S. Basu;T. Undeland
通讯作者：
T. Undeland