Flash lamp annealing processing to improve the performance of high-Sn content GeSn n-MOSFETs
Flash lamp annealing processing to improve the performance of high-Sn content GeSn n-MOSFETs
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闪光灯退火处理可提高高锡含量 GeSn n-MOSFET 的性能
DOI：
10.35848/1882-0786/ac1a47
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发表时间：
2021
影响因子：
2.3
通讯作者：
Endo Kazuhiko
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Oka Hiroshi;Mizubayashi Wataru;Ishikawa Yuki;Uchida Noriyuki;Mori Takahiro;Endo Kazuhiko
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DOI：
10.1016/j.nimb.2006.12.191
发表时间：
2007
影响因子：
1.3
作者：
A. Satta;A. D'Amore;E. Simoen;W. Anwand;W. Skorupa;T. Clarysse;B. V. Daele;T. Janssens
通讯作者：
T. Janssens
通过闪光灯退火形成 10–15 nm 超浅结
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Ito;T. Iinuma;A. Murakoshi;H. Akutsu;K. Suguro;T. Arikado;K. Okumura;M. Yoshioka;Tatsushi Owada;Y. Imaoka;H. Murayama;T. Kusuda
通讯作者：
T. Kusuda
影响因子：
2.8
作者：
Grant, Perry C.;Dou, Wei;Yu, Shui-Qing
通讯作者：
Yu, Shui-Qing
用于超硅技术的新型 IV 族半导体材料和器件
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Yamamoto;T. Matsuo;D. Wang;K. Moto;K. Toko;and H. Nakashima
通讯作者：
and H. Nakashima
闪光灯退火诱导绝缘体上Ge晶圆上非晶GeSn层的非平衡固相生长
影响因子：
2.3
作者：
Oka Hiroshi;Mizubayashi Wataru;Ishikawa Yuki;Uchida Noriyuki;Mori Takahiro;Endo Kazuhiko
通讯作者：
Endo Kazuhiko