Non-equilibrium solid-phase growth of amorphous GeSn layer on Ge-on-insulator wafer induced by flash lamp annealing
Non-equilibrium solid-phase growth of amorphous GeSn layer on Ge-on-insulator wafer induced by flash lamp annealing
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闪光灯退火诱导绝缘体上Ge晶圆上非晶GeSn层的非平衡固相生长
DOI：
10.35848/1882-0786/abdac4
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发表时间：
2021
影响因子：
2.3
通讯作者：
Endo Kazuhiko
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Oka Hiroshi;Mizubayashi Wataru;Ishikawa Yuki;Uchida Noriyuki;Mori Takahiro;Endo Kazuhiko
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Sn共掺杂增强Ge薄层中的载流子迁移率
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Prucnal;F. Liu;Y. Berencén;L. Vines;L. Bischoff;J. Grenzer;S. Andrić;S. Tiagulskyi;K. Pyszniak;M. Turek;A. Drozdziel;M. Helm;S. Zhou;W. Skorupa
通讯作者：
W. Skorupa
DOI：
10.1016/j.nimb.2006.12.191
发表时间：
2007
影响因子：
1.3
作者：
A. Satta;A. D'Amore;E. Simoen;W. Anwand;W. Skorupa;T. Clarysse;B. V. Daele;T. Janssens
通讯作者：
T. Janssens
影响因子：
2.1
作者：
Oehme, Michael;Kostecki, Konrad;Schulze, Joerg
通讯作者：
Schulze, Joerg
使用 SnCl4 和 Ge2H6 通过减压 CVD 外延生长 Ge1-xSnx
DOI：
10.1149/05009.0885ecst
发表时间：
2013
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
S. Wirths;D. Buca;A. Tiedemann;B. Holländer;P. Bernardy;T. Stoica;D. Grützmacher;S. Mantl
通讯作者：
S. Mantl
影响因子：
2.8
作者：
Grant, Perry C.;Dou, Wei;Yu, Shui-Qing
通讯作者：
Yu, Shui-Qing