A Continuous Compact DC Model for Dual-Independent-Gate FinFETs
A Continuous Compact DC Model for Dual-Independent-Gate FinFETs
复制标题
双独立栅极 FinFET 的连续紧凑 DC 模型
DOI：
10.1109/jeds.2016.2632709
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发表时间：
2017
影响因子：
2.3
通讯作者：
Sensale-Rodriguez, Berardi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hasan, Mehdi;Gaillardon, Pierre-Emmanuel;Sensale-Rodriguez, Berardi
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InGaAs/GaAsSb 带间隧道 FET 作为可调谐 RF 检测器
DOI：
10.1109/drc.2014.6872280
发表时间：
2014
期刊：
72nd Device Research Conference
影响因子：
--
作者：
W. Li;T. Yu;J. Hoyt;P. Fay
通讯作者：
P. Fay
使用场效应晶体管进行太赫兹检测：固有灵敏度限制与器件灵敏度限制
影响因子：
3.9
作者：
A. Lisauskas;Sebastian Boppela;M. Bauer;J. Zdanevicius;J. Matukas;V. Krozer;G. Roskos
通讯作者：
G. Roskos
使用传统 FDSOI CMOS 在低偏置电压下实现超陡亚阈值斜率
DOI：
10.1109/iedm.2010.5703377
发表时间：
2010
期刊：
2010 International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
Z. Lu;N. Collaert;M. Aoulaiche;B. de Wachter;A. De Keersgieter;J. Fossum;L. Altimime;M. Jurczak
通讯作者：
M. Jurczak
迈向功能增强型器件：控制三独立栅极晶体管的工作模式
DOI：
10.1109/nmdc.2015.7439231
发表时间：
2015
期刊：
72nd Device Research Conference
影响因子：
--
作者：
P. Gaillardon;Jian Zhang;M. D. Marchi;G. Micheli
通讯作者：
G. Micheli
隧道场效应管电流-电压特性的连续半经验模型
DOI：
10.1109/ulis.2014.6813897
发表时间：
2014
期刊：
2014 15th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS)
影响因子：
--
作者：
Hao Lu;Jung Whan Kim;D. Esseni;A. Seabaugh
通讯作者：
A. Seabaugh