Improvement of crystal quality and UV transparence of dielectric Ga2O3 thin films via thermal annealing in N2 atmosphere
Improvement of crystal quality and UV transparence of dielectric Ga2O3 thin films via thermal annealing in N2 atmosphere
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通过 N2 气氛中的热退火提高介电 Ga2O3 薄膜的晶体质量和紫外透明度
DOI：
10.1007/s10854-011-0433-7
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发表时间：
2012-02
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hongwei Liang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hezhi Zhang;Jiming Bian;Yang Liu;Guotong Du;Rensheng Shen;Yu;a Liu;Xiaochuan Xia;Yingmin Luo;Hongwei Liang
采用低压金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石（0001）衬底上沉积了Ga2O3薄膜。利用x射线衍射和op研究了在800 ~ 1000℃的N2气氛下退火的影响
Ga2O3 thin films were deposited on sapphire (0001) substrates by low-pressure metal organic chemical vapor deposition. The influence of annealing in N2 atmosphere at the temperature in the range of 800–1,000 °C was investigated by X-ray diffraction and op
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影响因子：
1.8
作者：
Víllora, EG;Shimamura, K;Ichinose, N
通讯作者：
Ichinose, N
影响因子：
6.2
作者：
Kim, HW;Kim, NH
通讯作者：
Kim, NH
DOI：
10.1143/jjap.44.l7
发表时间：
2005-01-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
影响因子：
--
作者：
Shimamura, K;Víllora, EG;Ichinose, N
通讯作者：
Ichinose, N
影响因子：
4
作者：
Kokubun, Yoshihiro;Miura, Kasumi;Nakagomi, Shinji
通讯作者：
Nakagomi, Shinji
影响因子：
1.5
作者：
Aida, Hideo;Nishiguchi, Kengo;Yaguchi, Yoichi
通讯作者：
Yaguchi, Yoichi