Study of Drain Injected Breakdown Mechanisms in AlGaN/GaN-on-SiC HEMTs
Study of Drain Injected Breakdown Mechanisms in AlGaN/GaN-on-SiC HEMTs
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AlGaN/GaN-on-SiC HEMT 漏极注入击穿机制研究
DOI：
10.1109/ted.2021.3138841
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发表时间：
2022
影响因子：
3.1
通讯作者：
Yang F
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yang F
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DOI：
10.1088/0022-3727/49/43/435101
发表时间：
2016-11
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
T. Brazzini;Huarui Sun;F. Sarti;J. Pomeroy;C. Hodges;M. Gurioli;A. Vinattieri;M. Uren;M. Kuball
通讯作者：
T. Brazzini;Huarui Sun;F. Sarti;J. Pomeroy;C. Hodges;M. Gurioli;A. Vinattieri;M. Uren;M. Kuball
影响因子：
3.1
作者：
Chen, Kevin J.;Haeberlen, Oliver;Wu, Yifeng
通讯作者：
Wu, Yifeng
电致发光显微镜研究夹断条件下 AlGaN/GaN HEMT 的漏电流
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Baeumler;F. Gütle;V. Polyakov;M. Cäsar;M. Dammann;H. Konstanzer;W. Pletschen;W. Bronner;R. Quay;P. Waltereit;M. Mikulla;O. Ambacher;F. Bourgeois;R. Behtash;K. Riepe;P. J. Wel;J. Klappe;T. Rödle
通讯作者：
T. Rödle
碳掺杂 GaN 中与陷阱相关的击穿和丝状传导
DOI：
10.1002/pssb.201800527
发表时间：
2019
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
--
作者：
C. Koller;G. Pobegen;C. Ostermaier;G. Hecke;R. Neumann;M. Holzbauer;G. Strasser;D. Pogany
通讯作者：
D. Pogany
N 极 GaN MIS-HEMT 中热电子和碰撞电离的观察
影响因子：
4.9
作者：
D. Bisi;C. de Santi;M. Meneghini;S. Wienecke;M. Guidry;Haoran Li;E. Ahmadi;S. Keller;U. Mishra;G. Meneghesso;E. Zanoni
通讯作者：
E. Zanoni