Performance Enhancement of Partially and Fully Depleted Strained-SOI MOSFETs
Performance Enhancement of Partially and Fully Depleted Strained-SOI MOSFETs
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部分耗尽和完全耗尽应变 SOI MOSFET 的性能增强
DOI：
--
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
N. Sugiyama and S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Numata;T. Irisawa;T. Tezuka;J. Koga;N. Hirashita;K. Usuda;E. Toyoda;Y. Miyamura;A. Tanabe;N. Sugiyama and S. Takagi
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DOI：
10.1109/vlsit.2002.1015406
发表时间：
2002-06
期刊：
2002 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.01CH37303)
影响因子：
--
作者：
Kern Rim;J. O. Chu;Huajie Chen;Keith A. Jenkins;T. Kanarsky;Kam-Leung Lee;Anda C. Mocuta;Huilong Zhu;R. Roy;J. Newbury;John A. Ott;K. Petrarca;Patricia M. Mooney;D. Lacey;S. J. Koester;K. K. Chan-K.;Diane C. Boyd;M. Ieong;Hon-Sum Philip Wong
通讯作者：
Kern Rim;J. O. Chu;Huajie Chen;Keith A. Jenkins;T. Kanarsky;Kam-Leung Lee;Anda C. Mocuta;Huilong Zhu;R. Roy;J. Newbury;John A. Ott;K. Petrarca;Patricia M. Mooney;D. Lacey;S. J. Koester;K. K. Chan-K.;Diane C. Boyd;M. Ieong;Hon-Sum Philip Wong
绝缘体衬底上新型无 SiGe 应变硅的制备
DOI：
10.1109/soi.2002.1044480
发表时间：
2002
期刊：
2002 IEEE International SOI Conference
影响因子：
--
作者：
T. Langdo;Anthony Lochtefeld;M. Currie;R. Hammond;V. Yang;J. Carlin;C. Vineis;G. Braithwaite;H. Badawi;M. Bulsara;E. Fitzgerald
通讯作者：
E. Fitzgerald
部分和完全耗尽应变 S0I MOSFET 的性能增强
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
IEEE Transaction on Eectron Devices Vol.52,Issue.8
影响因子：
--
作者：
T.Numata;T.Irisawa;T.Tezuka;J.Koga;N.Hirashita;K.Usuda;E.Toyoda;Y.Miyamura;A.Tanabe;N.Sugiyama and S.Takagi
通讯作者：
N.Sugiyama and S.Takagi
影响因子：
4.9
作者：
JENKINS, KA;SUN, JYC
通讯作者：
SUN, JYC
70 nm 应变硅 CMOS 器件的性能
DOI：
10.1109/vlsit.2003.1221107
发表时间：
2003
期刊：
2003 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.03CH37407)
影响因子：
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作者：
J. Hwang;J. Ho;S. Ting;T. Chen;Y. S. Hsieh;C. Huang;Y. Chiang;H.K. Lee;A. Liu;T. Shen;G. Braithwaite;M. Currie;N. Gerrish;R. Hammond;Anthony Lochtefeld;F. Singaporewala;M. Bulsara;Q. Xiang;M. Lin;W. Shiau;Y. Loh;J.K. Chen;S. Chien;F. Wen
通讯作者：
F. Wen