Depth-resolved transport measurements and atom-probe tomography of heterogeneous, superconducting Ge:Ga films
Depth-resolved transport measurements and atom-probe tomography of heterogeneous, superconducting Ge:Ga films
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异质超导 Ge:Ga 薄膜的深度分辨输运测量和原子探针断层扫描
DOI：
10.1088/0953-2048/27/5/055025
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发表时间：
2014
影响因子：
3.6
通讯作者：
Wosnitza
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Fiedler;Naumann;Skrotzki;Kölling;Herrmannsdörfer;Skorupa;Wosnitza
平均Ga含量约为8和1at.%的Ge膜可以通过离子注入和随后的闪光灯退火来制造空穴浓度。Ge：Ga薄膜在低于临界温度时会变成超导体，临界温度范围在1 ~ 2 K之间，取决于薄膜电阻。宏观输运性质的变化，在逐步的表面蚀刻过程中，可以描述一个均匀掺杂层模型。然而，Ga分布在纳米尺度上是非常不均匀的。原子探针层析成像分析揭示了存在的Ga丰富的沉淀物与Ga集群高达10 000个原子。由于不存在掺杂Ga团簇，可以推测Ge的重掺杂通过邻近效应使相干超导态成为可能。
Ge films with a mean Ga content of about 8 and 1 at.% hole concentration can be fabricated by ion implantation and subsequent flash-lamp annealing. The Ge: Ga films become superconducting below critical temperatures in the range between 1 and 2 K depending on the film resistance. The change in the macroscopic transport properties during step-wise surface etching can be described by a homogeneously doped layer model. However, the Ga distribution is extremely heterogeneous on the nanoscale. Atom-probe tomography analyses reveal the presence of Ga-rich precipitates with Ga clusters of up to 10 000 atoms. Since no percolating Ga clusters exist, it can be supposed that the heavy doping of Ge enables a coherent superconducting state via the proximity effect.
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影响因子：
8.6
作者：
T. Herrmannsdörfer;V. Heera;O. Ignatchik;M. Uhlarz;A. Mücklich;M. Posselt;H. Reuther;B. Schmidt;K. Heinig;W. Skorupa;M. Voelskow;C. Wündisch;R. Skrotzki;M. Helm;J. Wosnitza
通讯作者：
T. Herrmannsdörfer;V. Heera;O. Ignatchik;M. Uhlarz;A. Mücklich;M. Posselt;H. Reuther;B. Schmidt;K. Heinig;W. Skorupa;M. Voelskow;C. Wündisch;R. Skrotzki;M. Helm;J. Wosnitza
通过GILD（气浸激光掺杂）形成高掺杂的Si和Ge；
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Cammilleri;F. Fossard;D. Débarre;C. T. Manh;C. Dubois;É. Bustarret;C. Marcenat;P. Achatz;D. Bouchier;J. Boulmer
通讯作者：
J. Boulmer
具有富镓纳米夹杂物的硅薄膜：从超导体到绝缘体
影响因子：
3.3
作者：
V. Heera;J. Fiedler;R. Hübner;B. Schmidt;M. Voelskow;W. Skorupa;R. Skrotzki;T. Herrmannsdörfer;J. Wosnitza;M. Helm
通讯作者：
M. Helm
通过离子注入和闪光灯退火生产的重度 Ga 掺杂锗层：结构和电激活
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
V. Heera;A. Mücklich;M. Posselt;M. Voelskow;C. Wündisch;B. Schmidt;R. Skrotzki;K. Heinig;T. Herrmannsdörfer;W. Skorupa
通讯作者：
W. Skorupa
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Herrmannsdörfer;R. Skrotzki;V. Heera;O. Ignatchik;M. Uhlarz;A. Mücklich;M. Posselt;B. Schmidt;K. Heinig;W. Skorupa;M. Voelskow;C. Wündisch;M. Helm;J. Wosnitza
通讯作者：
J. Wosnitza