A High Power InGaN-Based Blue-Violet Laser Diode Array with a Broad-Area Stripe
A High Power InGaN-Based Blue-Violet Laser Diode Array with a Broad-Area Stripe
复制标题
具有大面积条纹的高功率 InGaN 基蓝紫激光二极管阵列
DOI：
10.1088/0256-307x/30/10/104205
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发表时间：
2013-10
影响因子：
3.5
通讯作者：
Yang Hui
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhu Jian-Jun;Zhang Shu-Ming;Zhang Bao-Shun;Yang Hui
制作了一种宽波导结构的高功率InGaN/GaN多量子阱激光二极管阵列。激光二极管结构通过金属有机化学气相沉积在GaN衬底上生长。激光二极管阵列由五个发射带组成，它们共享一个激光器芯片上的公共电极。在频率为10 kHz、脉宽为100 ns的脉冲电流注入下，研究了半导体激光器列阵的电学和光学特性。激光二极管阵列发射波长为409 nm，位于蓝紫区，阈值电流为2.9 A。在25 A电流下，在波长411.8nm处测得最大输出光峰值功率为7.5W。
An array of high power InGaN/GaN multi-quantum-well laser diodes with a broad waveguide is fabricated. The laser diode structure is grown on a GaN substrate by metal-organic chemical vapor deposition. The laser diode array consists of five emitter stripes which share common electrodes on one laser chip. The electrical and optical characteristics of the laser diode array are investigated under the pulse current injection with 10kHz frequency and 100 ns pulse width. The laser diode array emits at the wavelength of 409 nm, which is located in the blue-violet region, and the threshold current is 2.9 A. The maximum output light peak power is measured to be 7.5 W at the wavelength of 411.8 nm under the current of 25 A.
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影响因子：
4
作者：
Parish, G;Keller, S;Tarsa, EJ
通讯作者：
Tarsa, EJ
DOI：
10.1143/jjap.35.l74
发表时间：
1996-01-15
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
影响因子：
--
作者：
Nakamura, S;Senoh, M;Sugimoto, Y
通讯作者：
Sugimoto, Y
影响因子：
4
作者：
Queren, Desiree;Avramescu, Adrian;Strauss, Uwe
通讯作者：
Strauss, Uwe
DOI：
10.1117/12.907936
发表时间：
2012-02
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
K. Samonji;S. Yoshida;H. Hagino;K. Yamanaka;S. Takigawa
通讯作者：
K. Samonji;S. Yoshida;H. Hagino;K. Yamanaka;S. Takigawa
影响因子：
1.9
作者：
S. Nakamura
通讯作者：
S. Nakamura