Experimental evaluation of impact ionization in dilute nitride GaInNAs diodes
Experimental evaluation of impact ionization in dilute nitride GaInNAs diodes
复制标题
稀氮化物 GaInNAs 二极管碰撞电离的实验评估
DOI：
10.1063/1.4819846
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发表时间：
2013
影响因子：
4
通讯作者：
Tan S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tan S
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影响因子：
1.1
作者：
Li, KF;Ong, DS;Grey, R
通讯作者：
Grey, R
用于控制碰撞电离和相关高场过程的能带结构工程
影响因子：
1.1
作者：
A. Adams
通讯作者：
A. Adams
稀氮化物半导体中电子迁移率的内在限制
影响因子：
4
作者：
S. Fahy;E. O’Reilly
通讯作者：
E. O’Reilly
影响因子：
3.2
作者：
J. Ng;W. M. Soong;M. Steer;M. Hopkinson;J. David;J. Chamings;S. Sweeney;A. Adams
通讯作者：
J. Ng;W. M. Soong;M. Steer;M. Hopkinson;J. David;J. Chamings;S. Sweeney;A. Adams
雪崩击穿对能带结构的“普遍”依赖性：为高功率器件选择材料
影响因子：
1.5
作者：
J. Allam
通讯作者：
J. Allam