An ESD robust high holding voltage dual-direction SCR with symmetrical I-V curve by inserting a floating P+ in PWell

An ESD robust high holding voltage dual-direction SCR with symmetrical I-V curve by inserting a floating P+ in PWell
复制标题

通过在 PWell 中插入浮动 P plus,实现具有对称 I-V 曲线的 ESD 鲁棒高保持电压双向 SCR

DOI:
10.1016/j.sse.2019.107627
复制
发表时间:
2019-10
期刊:
Solid State Electronics
影响因子:
--
通讯作者:
an Jia
an Jia
中科院分区:
其他
文献类型:
--
作者:
Xijun Chen;Yang Wang;Xiangliang Jin;Zijie Zhou;Jun Lu;D;an Jia

文献摘要

参考文献

相似文献

DOI: 10.1016/j.sse.2017.09.013
发表时间: 2018
影响因子: 1.7
作者:
Xiangliang Jin;Zheng Yifei;Yang Wang;Guan Jian;Shanwan Hao;Kan Li;Jun Luo
通讯作者: Xiangliang Jin;Zheng Yifei;Yang Wang;Guan Jian;Shanwan Hao;Kan Li;Jun Luo
DOI: 10.1016/j.microrel.2015.12.011
发表时间: 2016-02
期刊: Microelectron. Reliab.
影响因子: --
作者:
A. Salman;F. Farbiz;A. Concannon;H. Edwards;G. Boselli
通讯作者: A. Salman;F. Farbiz;A. Concannon;H. Edwards;G. Boselli
适用于 ESD 应用的高保持电压硅控整流器
DOI: 10.1109/led.2012.2208934
发表时间: 2012-10-01
影响因子: 4.9
作者:
Dong, Shurong;Wu, Jian;Liou, Juin J.
通讯作者: Liou, Juin J.
DOI: 10.1109/ted.2004.834904
发表时间: 2004-09
影响因子: 3.1
作者:
M. Ker;Zi-Ping Chen
通讯作者: M. Ker;Zi-Ping Chen
面积高效的高保持电压ESD保护器件的设计与分析
DOI: 10.1109/ted.2014.2381511
发表时间: 2015-01
影响因子: 3.1
作者:
Zeng Jie;Dong Shurong;Liou Juin J.;Han Yan;Zhong Lei;Wang Weihuai
通讯作者: Wang Weihuai