Synchrotron radiation-excited etching of ZnTe using Ar gas
Synchrotron radiation-excited etching of ZnTe using Ar gas
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使用 Ar 气体对 ZnTe 进行同步辐射激发蚀刻
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroshi Ogawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tooru Tanaka;Yusuke Kume;Kazuki Hayashida;Katsuhiko Saito;Mitsuhiro Nishio;Qixin Guo;Hiroshi Ogawa
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硅 (100) 和聚（甲基丙烯酸甲酯）的 VUV 辅助蚀刻
DOI：
10.1143/jjap.27.1723
发表时间：
1988
期刊：
影响因子：
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作者：
N. Ueno;T. Mitsuhata;K. Sugita;Ken'ichiro Tanaka
通讯作者：
Ken'ichiro Tanaka
同步辐射激发硅的区域选择性和各向异性蚀刻：引入 O2 分子的影响
DOI：
10.1143/jjap.31.4449
发表时间：
1992
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Goto;O. Kitamura;S. Terakado;Shigeo Suzuki Tanaka
通讯作者：
Shigeo Suzuki Tanaka
使用同步辐射对 GaAs 进行光化学蚀刻
DOI：
10.1143/jjap.29.l709
发表时间：
1990
期刊：
影响因子：
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作者：
S. Terakado;J. Nishino;M. Morigami;M. Harada;Shigeo Suzuki;Ken'ichiro Tanaka;J. Chikawa
通讯作者：
J. Chikawa
反应溅射法沉积氧化钨薄膜的物理性能
DOI：
10.1143/jjap.30.1841
发表时间：
1991
期刊：
影响因子：
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作者：
K. Kaneda;Shigeo Suzuki
通讯作者：
Shigeo Suzuki
使用 SF6 的同步辐射激发蚀刻中的氧添加效应
影响因子：
1.4
作者：
Y. Utsumi;J. Takahashi;T. Urisu
通讯作者：
T. Urisu