4H-SiC trench gate MOSFETs with field plate termination
4H-SiC trench gate MOSFETs with field plate termination
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具有场板端接的 4H-SiC 沟槽栅极 MOSFET
DOI：
10.1007/s11431-014-5663-5
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发表时间：
2014-09
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Tang XiaoYan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Song QingWen;Zhang YuMing;Zhang YiMen;Tang XiaoYan
Field plate (FP)-terminated 4H-SiC trench gate MOSFETs are demonstrated in this work. N+/P−/N−/N+ multiple epitaxial layers were grown on 3-inch N+ type 4H-SiC substrate by chemical vapor deposition (CVD), and then the 4H-SiC trench gate MOSFETs were fabr
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DOI：
10.1109/ispsd.2005.1487988
发表时间：
2005-05
期刊：
Proceedings. ISPSD '05. The 17th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 2005.
影响因子：
--
作者：
Q. Zhang;M. Gomez;C. Bui;E. Hanna
通讯作者：
Q. Zhang;M. Gomez;C. Bui;E. Hanna
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.999
发表时间：
2010-04
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
S. Harada;S. Ito;Makoto Kato;A. Takatsuka;K. Kojima;K. Fukuda;H. Okumura
通讯作者：
S. Harada;S. Ito;Makoto Kato;A. Takatsuka;K. Kojima;K. Fukuda;H. Okumura
DOI：
10.1109/commad.2008.4802111
发表时间：
2008-07
期刊：
2008 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices
影响因子：
--
作者：
M. Fathipour;N. Peyvast;N. Shoaazar
通讯作者：
M. Fathipour;N. Peyvast;N. Shoaazar
DOI：
10.1109/iedm.2011.6131619
发表时间：
2011-12
期刊：
2011 International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
Takashi Nakamura;Y. Nakano;M. Aketa;R. Nakamura;Shuhei Mitani;H. Sakairi;Y. Yokotsuji
通讯作者：
Takashi Nakamura;Y. Nakano;M. Aketa;R. Nakamura;Shuhei Mitani;H. Sakairi;Y. Yokotsuji
铝注入 4H-SiC 的表面形貌和离子活化研究
影响因子：
4.6
作者：
Song QingWen;Zhang YuMing;Zhang YiMen;Tang XiaoYan
通讯作者：
Tang XiaoYan