E-TCT characterization of a thinned, backside biased, irradiated HV-CMOS pixel test structure
E-TCT characterization of a thinned, backside biased, irradiated HV-CMOS pixel test structure
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薄化、背面偏置、辐照 HV-CMOS 像素测试结构的 E-TCT 表征
DOI：
10.1016/j.nima.2020.164949
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Franks M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Franks M
本文介绍了高压 CMOS (HV-CMOS) 像素演示器 H35DEMO 测试结构的边缘瞬态电流技术 (e-TCT) 测量结果。器件的几个高电阻率 (1000 Ω⋅ cm) 样品被减薄至 100 μ m，进行背面偏置处理，并用中子辐照至注量高达 2⋅ 1 0 16 n eq⋅ cm− 2。研究了有效掺杂浓度相对于注量的演变。辐照通量为 5⋅ 1 0 14 n eq⋅ cm− 2 的样品在超过− 50 V 衬底偏置电压时完全耗尽，而辐照到最高通量的样品在− 200 V 时达到 30 μ m 耗尽。
This paper presents the results of edge-Transient Current Technique (e-TCT) measurements of a test structure of a High Voltage CMOS (HV-CMOS) pixel demonstrator, the H35DEMO. Several high resistivity (1000 Ω⋅ cm) samples of the device were thinned to 100 μ m, processed for backside biasing, and irradiated with neutrons to fluences up to 2⋅ 1 0 16 n eq⋅ cm− 2. The evolution of effective doping concentration with respect to fluence is studied. Samples irradiated to a fluence of 5⋅ 1 0 14 n eq⋅ cm− 2 are fully depleted beyond− 50 V substrate bias voltage while samples irradiated to the highest fluence reach 30 μ m depletion at− 200 V.
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