Analysis of dynamic characteristics of SiC Schottky barrier diodes at high switching frequency based on junction capacitance
Analysis of dynamic characteristics of SiC Schottky barrier diodes at high switching frequency based on junction capacitance
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基于结电容的SiC肖特基势垒二极管高开关频率动态特性分析
DOI：
10.7567/jjap.57.04ff01
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发表时间：
2018
影响因子：
1.5
通讯作者：
Hikihara Takashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Maeda Ryosuke;Okuda Takafumi;Hikihara Takashi
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DOI：
10.1109/lpel.2003.821026
发表时间：
2003-12
期刊：
IEEE Power Electronics Letters
影响因子：
--
作者：
B. Ozpineci;L. Tolbert
通讯作者：
B. Ozpineci;L. Tolbert
1 MHz 硬开关碳化硅 DC/DC 转换器
DOI：
10.1109/tpel.2006.876891
发表时间：
2006
期刊：
Eighteenth Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition, 2003. APEC '03.
影响因子：
--
作者：
Abou;A. Radun;V. Arthur;Chang Hsuch;C. Winerhalter
通讯作者：
C. Winerhalter
影响因子：
3.2
作者：
K. Kawahara;J. Suda;G. Pensl;T. Kimoto
通讯作者：
K. Kawahara;J. Suda;G. Pensl;T. Kimoto
双注入n+–p和p+–n 4H-SiC二极管的深能级瞬态光谱研究
影响因子：
3.2
作者：
S. Mitra;M. V. Rao;N. Papanicolaou;K. Jones;M. Derenge;O. W. Holland;R. Vispute;S. R. Wilson
通讯作者：
S. R. Wilson
大面积高电流密度 SiC 肖特基二极管的静态和动态特性
DOI：
10.1109/16.902738
发表时间：
1998
期刊：
56th Annual Device Research Conference Digest (Cat. No.98TH8373)
影响因子：
--
作者：
G. Dolny;D. Morisette;P. Shenoy;M. Zafrani;J. Gladish;J. Woodall;J. Cooper;M. Melloch
通讯作者：
M. Melloch