Silicon thermal oxidation and its thermal desorption investigated by Si 2p core-level photoemission
Silicon thermal oxidation and its thermal desorption investigated by Si 2p core-level photoemission
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Si 2p核级光电子研究硅热氧化及其热脱附
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and Y. Sakisaka
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Enta;H. Nakazawa;S. Sato;H. Kato;and Y. Sakisaka
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实时紫外光电子能谱研究 Si(100) 热氧化过程的生长动力学
影响因子：
6.7
作者：
Y. Enta;Y. Takegawa;M. Suemitsu;N. Miyamoto
通讯作者：
N. Miyamoto
Si(100) 干氧化过程中 Si 2 p 核心水平的实时测量
DOI：
10.1103/physrevb.57.6294
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y. Enta;Y. Miyanishi;H. Irimachi;A. Niwano;M. Suemitsu;N. Miyamoto;E. Shigemasa;H. Kato
通讯作者：
H. Kato
影响因子：
8.6
作者：
JOHNSON, KE;ENGEL, T
通讯作者：
ENGEL, T
暴露于 O2 的 Si(100)-(2 x 1) 上 SiO2 初始生长模式的衬底温度依赖性：光电子研究。
DOI：
10.1103/physrevb.40.10356
发表时间：
1989
期刊：
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子：
--
作者：
Lutz;Bischoff;Kubler;Bolmont
通讯作者：
Bolmont
Si(100) 上超薄氧化物覆盖层分解的空间不均匀性和空隙增长动力学。
DOI：
10.1103/physrevb.43.14309
发表时间：
1991
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Y.;D. Bonser;Thomas Engel
通讯作者：
Thomas Engel