Asymmetric sizing: An effective design approach for SRAM cells against BTI aging
Asymmetric sizing: An effective design approach for SRAM cells against BTI aging
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不对称尺寸：SRAM 单元抗 BTI 老化的有效设计方法
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Gupta, Sandeep
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zuo, Xuan;Gupta, Sandeep
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采用高 k 栅极电介质制造的 SRAM 随时间变化的 Vccmin 退化
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
2007 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 45th Annual
影响因子：
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作者：
J.C. Lin;A. Oates;C. Yu
通讯作者：
C. Yu
真实故障提取，用于 VLSI 系统的高质量设计和测试
DOI：
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发表时间：
1997
期刊：
1997 IEEE International Symposium on Defect and Fault Tolerance in VLSI Systems
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作者：
F. Gonçalves;I. Teixeira;João Paulo Teixeira
通讯作者：
João Paulo Teixeira
用于 VMIN 退化的全自动统计测量的 SRAM 可靠性测试宏
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
IEEE Trans. Circuits Syst. I Regul. Pap.
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作者：
T. T. Kim;Wei Zhang;C. Kim
通讯作者：
C. Kim
NBTI 和 PBTI 对 SRAM 位单元的影响：相对灵敏度和针对特定应用目标稳定性/性能的指南
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发表时间：
2009
期刊：
IEEE International Reliability Physics Symposium
影响因子：
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作者：
A. Bansal;R. Rao;Jae;S. Zafar;J. Stathis;C. Chuang
通讯作者：
C. Chuang
基于施密特触发器的超低压工艺变化容错 SRAM 设计
影响因子：
2.8
作者：
J. Kulkarni;K. Roy
通讯作者：
K. Roy