High performance back-illuminated MIS structure AlGaN solar-blind ultraviolet photodiodes
High performance back-illuminated MIS structure AlGaN solar-blind ultraviolet photodiodes
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高性能背照式MIS结构AlGaN日盲紫外光电二极管
DOI：
10.1007/s10854-018-8934-2
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发表时间：
2018-03
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Jiang Hong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Han Wuyue;Zhang Zhiwei;Li Zhiming;Chen Yiren;Song Hang;Miao Guoqing;Fan Fei;Chen Haifeng;Liu Zhen;Jiang Hong
为了克服p-i-n结构中铝含量高的p-AlGaN结构带来的技术瓶颈，提出了一种背光金属绝缘体-半导体结构的AlGaN太阳盲紫外光电二极管。存在的设备
A back-illuminated metal–insulator–semiconductor (MIS) structure AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodiode is demonstrated for the purpose of overcoming the technical bottleneck caused by high Al content p-AlGaN in p–i–n structure. The device present
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DOI：
10.3390/s130810482
发表时间：
2013-08-13
期刊：
Sensors (Basel, Switzerland)
影响因子：
--
作者：
Sang L;Liao M;Sumiya M
通讯作者：
Sumiya M
影响因子：
4
作者：
Cicek, E.;McClintock, R.;Razeghi, M.
通讯作者：
Razeghi, M.
影响因子：
3.5
作者：
Sang Liwen;Qin Zhi-xin;Cen Long-Bin;Shen Bo;Zhang Guoyi;Liu Shuping;Chen Hangyang;Liu Da-Yi;Kang Jun-yong;Cheng Cai-jing;Zhao Hong-yan;Lu Zhengxiong;Ding Jiaxin;Z. Lan;Si Jun-jie;Sun Weiguo
通讯作者：
Sang Liwen;Qin Zhi-xin;Cen Long-Bin;Shen Bo;Zhang Guoyi;Liu Shuping;Chen Hangyang;Liu Da-Yi;Kang Jun-yong;Cheng Cai-jing;Zhao Hong-yan;Lu Zhengxiong;Ding Jiaxin;Z. Lan;Si Jun-jie;Sun Weiguo
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.1441
发表时间：
1997-12
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
G. Xu;A. Salvador;A. Botchkarev;W. Kim;C. Lu;H. Tang;H. Morkoç;G. Smith;M. Estes;T. Dang;P. Wolf
通讯作者：
G. Xu;A. Salvador;A. Botchkarev;W. Kim;C. Lu;H. Tang;H. Morkoç;G. Smith;M. Estes;T. Dang;P. Wolf
影响因子：
2.3
作者：
Yu-Han Liang;E. Towe
通讯作者：
Yu-Han Liang;E. Towe