Ambipolar Coulomb Blockade Characteristics in a Two-Dimensional Si Coupled-Dot Device
Ambipolar Coulomb Blockade Characteristics in a Two-Dimensional Si Coupled-Dot Device
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二维硅耦合点器件中的双极库仑阻塞特性
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Tabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R.Nuryadi;H.Ikeda;Y.Ishikawa;M.Tabe
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M.Tabe：“Si (111) 表面氮化的初始阶段：X 射线光电子能谱和扫描隧道显微镜研究”表面科学。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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双栅结构硅金属氧化物半导体场效应晶体管反型层的库仑阻塞
影响因子：
4
作者：
H. Matsuoka;T. Ichiguchi;T. Yoshimura;E. Takeda
通讯作者：
E. Takeda
Si(111) 表面氮化的初始阶段：X 射线光电子能谱和扫描隧道显微镜研究
影响因子：
1.9
作者：
M. Tabe;Takeshi Yamamoto
通讯作者：
Takeshi Yamamoto
准金属绝缘体上硅纳米线的库仑封锁
影响因子：
4
作者：
A. Tilke;R. Blick;H. Lorenz;J. Kotthaus;D. Wharam
通讯作者：
D. Wharam
DOI：
10.1143/jjap.38.2812
发表时间：
1998
期刊：
Digest of Papers. Microprocesses and Nanotechnology'98. 198 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (Cat. No.98EX135)
影响因子：
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作者：
F. Wakaya;F. Yoshioka;S. Iwabuchi;Y. Nagaoka;K. Gamo
通讯作者：
K. Gamo