Effect of MBE growth conditions on GaAsBi photoluminescence lineshape and localised state filling.
Effect of MBE growth conditions on GaAsBi photoluminescence lineshape and localised state filling.
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DOI：
10.1038/s41598-021-04477-0
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发表时间：
2022-01-17
影响因子：
4.6
通讯作者：
Richards RD
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bailey NJ;Rockett TBO;Flores S;Reyes DF;David JPR;Richards RD
一系列的砷化镓双酰亚胺器件层覆盖的范围内的生长条件进行了彻底探测低温，功率依赖的光致发光测量。光致发光数据建模使用的局部状态配置文件组成的两个高斯。与原始数据的良好协议，实现了所有层，同时固定的两个高斯的标准偏差值和约束使用X射线衍射数据的带隙。生长温度和铋束等效压力对局部状态分布的影响，以及其他模型变量，都被证明是与发射线宽和设备属性。它的结论是，富铋的表面条件是优选的生长过程中，以产生最窄的发射线宽与这种材料。这些结果还表明，如何可以推断出从低温光致发光测量的非原位砷化镓二酰亚胺层的生长模式。
A series of gallium arsenide bismide device layers covering a range of growth conditions are thoroughly probed by low-temperature, power-dependent photoluminescence measurements. The photoluminescence data is modelled using a localised state profile consisting of two Gaussians. Good agreement with the raw data is achieved for all layers whilst fixing the standard deviation values of the two Gaussians and constraining the band gap using X-ray diffraction data. The effects of growth temperature and bismuth beam equivalent pressure on the localised state distributions, and other model variables, are both shown to be linked to emission linewidth and device properties. It is concluded that bismuth rich surface conditions are preferable during growth in order to produce the narrowest emission linewidths with this material. These results also show how the growth mode of a gallium arsenide bismide layer can be inferred ex-situ from low-temperature photoluminescence measurements.
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影响因子：
4.6
作者：
Wilson T;Hylton NP;Harada Y;Pearce P;Alonso-Álvarez D;Mellor A;Richards RD;David JPR;Ekins-Daukes NJ
通讯作者：
Ekins-Daukes NJ
影响因子：
4
作者：
Gogineni, Chaturvedi;Riordan, Nathaniel A.;Tiedje, Tom
通讯作者：
Tiedje, Tom
影响因子：
1.9
作者：
KRAMBROCK, K;LINDE, M;WALUKIEWICZ, W
通讯作者：
WALUKIEWICZ, W
DOI：
10.1109/jstqe.2017.2719403
发表时间：
2017-11-01
影响因子：
4.9
作者：
Marko, Igor P.;Sweeney, Stephen J.
通讯作者：
Sweeney, Stephen J.
影响因子：
1.8
作者：
Richards, Robert D.;Bastiman, Faebian;David, John P. R.
通讯作者：
David, John P. R.