Ion Implantation of Germanium Into Silicon for Critical Coupling Control of Racetrack Resonators
Ion Implantation of Germanium Into Silicon for Critical Coupling Control of Racetrack Resonators
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将锗离子注入硅中以实现跑道谐振器的临界耦合控制
DOI：
10.1109/jlt.2020.2967935
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发表时间：
2020
影响因子：
4.7
通讯作者：
Milosevic M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Milosevic M
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绝缘体上硅赛道谐振器的缺陷介导的谐振位移。
影响因子：
3.8
作者：
J. Ackert;J. Doylend;D. Logan;P. Jessop;R. Vafaei;L. Chrostowski;A. Knights
通讯作者：
A. Knights
通过集成退火对硅环谐振器进行制造后修整
影响因子：
2.6
作者：
D. Hagan;Benjamin Torres;A. Knights
通讯作者：
A. Knights
SOI 中平面表面植入的衍射光栅耦合器。
影响因子：
3.8
作者：
R. Topley;L. O’Faolain;D. Thomson;F. Gardes;G. Mashanovich;G. Reed
通讯作者：
G. Reed
用于硅光子集成电路制造后修整的局部原位熔覆退火。
影响因子：
3.8
作者：
S. Spector;J. Knecht;P. Juodawlkis
通讯作者：
P. Juodawlkis
用于绝缘体上硅光学器件测试的局部可擦除耦合器
影响因子：
4.7
作者：
R. Topley;G. Martinez;L. O’Faolain;N. Healy;S. Mailis;D. Thomson;F. Gardes;A. Peacock;D. Payne;G. Mashanovich;G. Reed
通讯作者：
G. Reed