Modeling of turn-OFF transient energy in IGBT controlled silicon PiN diodes
Modeling of turn-OFF transient energy in IGBT controlled silicon PiN diodes
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IGBT 控制的硅 PiN 二极管的关断瞬态能量建模
DOI：
10.1109/epe.2014.6911007
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Jahdi S
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jahdi S
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4H-SiC p-i-n 二极管正向 I-V 特性的分析模型，适用于较宽的温度和电流范围
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通讯作者：
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通讯作者：
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DOI：
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2000
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通讯作者：
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DOI：
10.1109/isgteurope.2013.6695233
发表时间：
2013
期刊：
IEEE PES ISGT Europe 2013
影响因子：
--
作者：
S. Jahdi;O. Alatise;P. Mawby
通讯作者：
P. Mawby