Study of Mesa Etching for Infrared Detector Based on InAs/GaSb Superlattice
Study of Mesa Etching for Infrared Detector Based on InAs/GaSb Superlattice
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基于InAs/GaSb超晶格的红外探测器台面刻蚀研究
DOI：
10.4028/www.scientific.net/amr.760-762.137
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发表时间：
2013-09
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
郭杰
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
郭杰
采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长了红外探测器中的InAs/GaSb超晶格。采用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术和Cl2/Ar刻蚀气体，形成了器件的光滑台面。研究了刻蚀时间、Cl2百分比和射频功率对InAs块体、GaSb块体材料和超晶格刻蚀速率和表面形貌的影响。结果表明，在Cl2浓度为20%~40%范围内，InAs的刻蚀速率低于GaSb，且刻蚀表面光滑。结果将有利于形成欧姆接触并减少光伏探测器的表面漏电流。
InAs/GaSb superlattice in infrared detector was grown on GaSb substrates by molecular beam epitaxy technique. Using inductively coupled plasma (ICP) etching technique and Cl2/Ar etching gas, the smooth mesa of the device was formed. The influence of etching time, Cl2 percent and RF power on the etching rate and the surface morphology of InAs bulk, GaSb bulk materials and superlattice were studied. It showed that the etching rate of InAs was lower than that of GaSb and the etching surface was smooth at Cl2 in the range of 20%~40%. The results will benefit to forming ohm contact and decrease surface leakage current in the photovoltaic detector.
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DOI：
10.1117/12.189244
发表时间：
1994-10
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Hongyi Su;Wei-guo Sun
通讯作者：
Hongyi Su;Wei-guo Sun
影响因子：
6
作者：
M. Walther;R. Rehm;J. Schmitz;J. Fleissner;F. Rutz;L. Kirste;R. Scheibner;J. Wendler;J. Ziegler
通讯作者：
M. Walther;R. Rehm;J. Schmitz;J. Fleissner;F. Rutz;L. Kirste;R. Scheibner;J. Wendler;J. Ziegler
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Jie Guo;Wei-guo Sun;Ying-qiang Xu;Zhiqiang Zhou;Zhichuan Niu
通讯作者：
Jie Guo;Wei-guo Sun;Ying-qiang Xu;Zhiqiang Zhou;Zhichuan Niu
影响因子：
1.5
作者：
Hack Joo Lee;B. Kwon;Hyun Woo Kim;Seon Il Kim;D. Yoo;J. Boo;N. Lee
通讯作者：
Hack Joo Lee;B. Kwon;Hyun Woo Kim;Seon Il Kim;D. Yoo;J. Boo;N. Lee
DOI：
10.1117/12.791978
发表时间：
2008-09
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Jie Guo;Weigo Sun;Ying-qiang Xu;Zhiqiang Zhou;Zhichuan Niu
通讯作者：
Jie Guo;Weigo Sun;Ying-qiang Xu;Zhiqiang Zhou;Zhichuan Niu