Suppression of Filament Overgrowth in Conductive Bridge Random Access Memory by Ta2O5/TaOx Bi-Layer Structure
Suppression of Filament Overgrowth in Conductive Bridge Random Access Memory by Ta2O5/TaOx Bi-Layer Structure
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Ta2O5/TaOx双层结构抑制导电桥随机存取存储器中细丝过度生长
DOI：
10.1186/s11671-019-2942-x
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发表时间：
2019-03
影响因子：
--
通讯作者：
Liu Ming
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yu Jie;Xu Xiaoxin;Gong Tiancheng;Luo Qing;Dong Danian;Yuan Peng;Tai Lu;Yin Jiahao;Zhu Xi;Wu Xiulong;Lv Hangbing;Liu Ming
双层结构被广泛采用来提高导电桥随机存取存储器(CBRAM)的可靠性。在这项工作中，我们提出了一种既方便又经济的解决方案，通过低温退火法实现了Ta2O5/TaOx2双层结构。在SET编程过程中，TaOx层的增加起到了抑制溢出电流的外部电阻的作用，从而实现了自顺应性开关。结果，由于抑制了过置现象，改善了高阻态和低阻态的分布。此外，由于开关薄膜中缺陷的恢复，CBRAM的LRS保持率明显提高。为提高CBRAM的可靠性提供了一种简单、经济的方法。
Bi-layer structure has been widely adopted to improve the reliability of the conductive bridge random access memory (CBRAM). In this work, we proposed a convenient and economical solution to achieve a Ta2O5/TaOxbi-layer structure by using a low-temperature annealing process. The addition of a TaOxlayer acted as an external resistance suppressing the overflow current during set programming, thus achieving the self-compliance switching. As a result, the distributions of high-resistance states and low-resistance states are improved due to the suppression of the overset phenomenon. In addition, the LRS retention of the CBRAM is obviously enhanced due to the recovery of defects in the switching film. This work provides a simple and economical method to improve the reliability of CBRAM.
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影响因子：
1.7
作者：
A. Prakash;S. Maikap;Chao‐Sung Lai;T. Tien;Weisu Chen;Heng-Yuan Lee;F. Chen;M. Kao;M. Tsai-M.-T
通讯作者：
A. Prakash;S. Maikap;Chao‐Sung Lai;T. Tien;Weisu Chen;Heng-Yuan Lee;F. Chen;M. Kao;M. Tsai-M.-T
通过在 CBRAM 中引入与 BEOL 兼容的 TiN 势垒层来提高器件可靠性
影响因子：
4.9
作者：
Cao, Rongrong;Liu, Sen;Liu, Ming
通讯作者：
Liu, Ming
影响因子：
4.9
作者：
Gong, Tiancheng;Luo, Qing;Liu, Ming
通讯作者：
Liu, Ming
影响因子：
3.7
作者：
Chen, Ying-Chuan;Chung, Yu-Lung;Chen, Jen-Sue
通讯作者：
Chen, Jen-Sue
DOI：
10.1109/iedm.2013.6724721
发表时间：
2013-12
期刊：
2013 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
John R. Jameson;Philippe Blanchard;C. Cheng;John Dinh;Antonio R. Gallo;Vasudevan Gopalakrishnan
通讯作者：
John R. Jameson;Philippe Blanchard;C. Cheng;John Dinh;Antonio R. Gallo;Vasudevan Gopalakrishnan