Roles of hydrogen atoms in p-type Poly-Si/SiOx passivation layer for crystalline silicon solar cell applications

Roles of hydrogen atoms in p-type Poly-Si/SiOx passivation layer for crystalline silicon solar cell applications
复制标题

氢原子在晶体硅太阳能电池应用 p 型多晶硅/SiOx 钝化层中的作用

DOI:
10.7567/1347-4065/ab14fe
复制
发表时间:
2019
影响因子:
1.5
通讯作者:
Matsubara Koji
Matsubara Koji
中科院分区:
物理与天体物理4区
文献类型:
--
作者:
Lozac’h Mickael;Nunomura Shota;Umishio Hiroshi;Matsui Takuya;Matsubara Koji

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

等离子体处理过程中 a-Si:H/c-Si 异质结界面缺陷的原位检测
DOI: 10.7567/1882-0786/ab128b
发表时间: 2019
影响因子: 2.3
作者:
Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji
通讯作者: Matsubara Koji
DOI: --
发表时间: 2012
期刊:
影响因子: --
作者:
Fa‐Jun Ma;G. Samudra;M. Peters;A. Aberle;F. Werner;Jan Schmidt;B. Hoex
通讯作者: B. Hoex
湿化学基材预处理对a-Si:H/c-Si和a-SiNx:H/c-Si异质界面电子界面性能和复合损失的影响
DOI: --
发表时间: 2011
期刊:
影响因子: --
作者:
H. Angermann;F. Wünsch;M. Kunst;A. Laades;U. Stürzebecher;E. Conrad;L. Korte;M. Schmidt
通讯作者: M. Schmidt
氢等离子体处理过程中晶体硅中电子缺陷的形成
DOI: 10.1063/1.5089202
发表时间: 2019
期刊: AIP Advances
影响因子: 1.6
作者:
Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji
通讯作者: Matsubara Koji
DOI: 10.1103/physrevapplied.10.054006
发表时间: 2018-11
影响因子: 4.6
作者:
S. Nunomura;I. Sakata;K. Matsubara
通讯作者: S. Nunomura;I. Sakata;K. Matsubara