Maskless selective growth and in-situ Beryllium-doping of GaAs grown by Low-energy focused ion beam
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低能聚焦离子束生长砷化镓的无掩模选择性生长和原位铍掺杂
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K.Pak
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E.M.Kim;T.Nishiyama;K.Numata;S.Itoh;T.Gotoh;K.Pak
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低能Ga聚焦离子束与As4分子束原位无掩模选择性外延GaAs的研究
DOI：
10.1016/0022-0248(94)00494-3
发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
--
作者：
Isao Saitoh;K. Pak;Y. Inoue;N. Ohshima;H. Yonezu
通讯作者：
H. Yonezu
使用低能 Ga 聚焦离子束进行 GaAs 原位无掩模选择性区域外延
DOI：
10.1016/0022-0248(94)90518-5
发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Pak;Isao Saitoh;N. Ohshima;H. Yonezu
通讯作者：
H. Yonezu
采用 InGa 低能聚焦离子束和二甲肼进行 InGaN 无掩模选择性外延
DOI：
10.1016/s0022-0248(01)00746-1
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. H. Cho;M. Tanaka;K. Pak
通讯作者：
K. Pak
使用低能 In0.15Ga0.85-FIB 和 As4 分子束进行 InxGa1−xAs 无掩模选择性外延
DOI：
10.1016/s0022-0248(98)01421-3
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. H. Cho;M. Hachiro;Y. Abe;K. Pak
通讯作者：
K. Pak
使用极低能量 Ga 聚焦离子束沉积与分子束外延生长相结合的 GaAs 选择性区域外延
DOI：
10.1016/s0022-0248(96)01028-7
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Beere;J. H. Thompson;G. Jones;D. Ritchie
通讯作者：
D. Ritchie