Photoexcitation-induced carrier dynamics in an undoped InAs/GaSb quantum well
Photoexcitation-induced carrier dynamics in an undoped InAs/GaSb quantum well
复制标题
未掺杂 InAs/GaSb 量子阱中光激发诱导的载流子动力学
DOI：
10.1088/0022-3727/49/14/145303
复制
发表时间：
2016-03
影响因子：
3.4
通讯作者：
Zhang, Xinhui
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Guowei;Xu, Yingqiang;Niu, Zhichuan;Zhang, Xinhui
用时间分辨泵浦-探测反射率（PPR）测量方法研究了分子束外延生长的InAs/GaSb量子阱中载流子寿命。研究发现，当调节激发能f时，PPR响应出现符号反转
The carrier lifetime in an InAs/GaSb quantum well grown by molecular beam epitaxy has been investigated by the time-resolved pump–probe reflectivity (PPR) measurement. It is found that the PPR response shows a sign reversal when tuning excitation energy f
登录
查看更多内容
DOI：
10.1063/1.4817400
发表时间：
2013-07
期刊：
Bulletin of the American Physical Society
影响因子：
--
作者：
T. Boggess
通讯作者：
T. Boggess
影响因子：
1.8
作者：
S. Svensson;D. Donetsky;D. Wang;H. Hier;F. Crowne;G. Belenky
通讯作者：
S. Svensson;D. Donetsky;D. Wang;H. Hier;F. Crowne;G. Belenky
影响因子：
4
作者：
D. Donetsky;G. Belenky;S. Svensson;S. Suchalkin
通讯作者：
D. Donetsky;G. Belenky;S. Svensson;S. Suchalkin
DOI：
10.1117/12.883625
发表时间：
2011-05
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
G. Belenky;G. Kipshidze;D. Donetsky;S. Svensson;W. Sarney;H. Hier;L. Shterengas;D. Wang;Y. Lin
通讯作者：
G. Belenky;G. Kipshidze;D. Donetsky;S. Svensson;W. Sarney;H. Hier;L. Shterengas;D. Wang;Y. Lin
影响因子：
2.1
作者：
Y. Lin;D. Wang;D. Donetsky;G. Belenky;H. Hier;W. Sarney;S. Svensson
通讯作者：
Y. Lin;D. Wang;D. Donetsky;G. Belenky;H. Hier;W. Sarney;S. Svensson