A novel approach to extracting extrinsic resistances for equivalent circuit model of nanoscale MOSFET
A novel approach to extracting extrinsic resistances for equivalent circuit model of nanoscale MOSFET
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一种提取纳米级 MOSFET 等效电路模型外在电阻的新方法
DOI：
10.1002/jnm.2163
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发表时间：
2016-11
影响因子：
1.6
通讯作者：
Gao JJ
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yu;Panpan;Zhou;Ying;Sun;Ling;Gao;Jianjun;Yu Panpan;Zhou Ying;Gao Jianjun;Sun Ling;Gao JJ
本文提出了一种从S参数测量中提取MOS管在Vgs = Vds = 0 V时的本征电阻的新方法。栅宽为8 × 0.6 × 12 µm（栅指数量）的90 nm栅长MOSFET器件的模拟和测量结果
A novel extrinsic resistance extraction method of MOSFET at Vgs = Vds = 0 V from S‐parameter measurements is presented in this paper. Simulated and measured results of 90‐nm gatelength MOSFET device with a 8 × 0.6 × 12 µm gatewidth (number of gate finger
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DOI：
10.1109/mwsym.2008.4633239
发表时间：
2008-06
期刊：
2008 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
影响因子：
--
作者：
J. Wood;D. Lamey;M. Guyonnet;D. Chan;D. Bridges;N. Monsauret;P. Aaen
通讯作者：
J. Wood;D. Lamey;M. Guyonnet;D. Chan;D. Bridges;N. Monsauret;P. Aaen
DOI：
10.1109/tmtt.2002.801339
发表时间：
2002-08-01
影响因子：
4.3
作者：
Pascht, A;Grözing, M;Berroth, M
通讯作者：
Berroth, M
影响因子：
3
作者：
G. Choi;S. Hong;Sung-Woo Jung;Y. Jeong
通讯作者：
G. Choi;S. Hong;Sung-Woo Jung;Y. Jeong
DOI：
10.1002/jnm.726
发表时间：
--
期刊：
International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks
影响因子：
--
作者：
J. Tinoco;J. Raskin
通讯作者：
J. Tinoco;J. Raskin
影响因子：
3.1
作者：
E. Torres-Rios;R. Torres‐Torres;G. Valdovinos-Fierro;E. Gutiérrez-D.
通讯作者：
E. Torres-Rios;R. Torres‐Torres;G. Valdovinos-Fierro;E. Gutiérrez-D.