Interface property of silicon nitride films grown by inductively coupled plasma chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor deposition on In0.82Al0.18As
Interface property of silicon nitride films grown by inductively coupled plasma chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor deposition on In0.82Al0.18As
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In0.82Al0.18As 电感耦合等离子体化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的界面特性
DOI：
10.1016/j.infrared.2015.04.011
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发表时间：
2015-07
影响因子：
3.3
通讯作者：
Gong, Haimei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Rui;Li, Tao;Li, Xue;Gong, Haimei
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影响因子：
1.9
作者：
Zhang, Yong-Gang;Gu, Yi;Li, Cheng
通讯作者：
Li, Cheng
影响因子：
6.7
作者：
Z. Jin;K. Uchida;S. Nozaki;W. Prost;F. Tegude
通讯作者：
Z. Jin;K. Uchida;S. Nozaki;W. Prost;F. Tegude
影响因子：
5.4
作者：
Sanghoon Lee;I. Lee;J. Yi
通讯作者：
Sanghoon Lee;I. Lee;J. Yi
影响因子：
4
作者：
Chenxin Zhu;Z. Huo;Zhongguang Xu;Manhong Zhang;Qin Wang;Jing Liu;S. Long;Ming Liu
通讯作者：
Chenxin Zhu;Z. Huo;Zhongguang Xu;Manhong Zhang;Qin Wang;Jing Liu;S. Long;Ming Liu
影响因子：
1.5
作者：
Haiping Zhou;K. Elgaid;C. Wilkinson;I. Thayne
通讯作者：
Haiping Zhou;K. Elgaid;C. Wilkinson;I. Thayne