Breakdown Ruggedness of Quasi-Vertical GaN-Based p-i-n Diodes on Si Substrates
Breakdown Ruggedness of Quasi-Vertical GaN-Based p-i-n Diodes on Si Substrates
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Si 衬底上准垂直 GaN 基 p-i-n 二极管的击穿耐用性
DOI：
10.1109/led.2016.2594821
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发表时间：
2016-07
影响因子：
4.9
通讯作者：
Kei May Lau
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xinbo Zou;Xu Zhang;Xing Lu;Chak Wah Tang;Kei May Lau
这封信报告的击穿强度GaN基准垂直的p-i-n二极管在硅上的第一次。在漂移层厚度为2μ m的情况下，0.08 mm ~ 2的器件可以承受高达0.73 A的浪涌电流，并且在未箝位时最大吸收能量为3 mJ
This letter reports the breakdown ruggedness of GaN-based quasi-vertical p-i-n diodes on Si for the first time. With a 2μm-thick drift layer, the 0.08-mm2 devices can sustain a surge current up to 0.73 A, and maximum sink in energy of 3 mJ using an unclam
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影响因子：
3.8
作者：
K. Lau;K. Wong;Xinbo Zou;Peng-Ren Chen
通讯作者：
K. Lau;K. Wong;Xinbo Zou;Peng-Ren Chen
影响因子：
1.6
作者：
Dadgar, Armin
通讯作者：
Dadgar, Armin
DOI：
10.1109/iedm.2015.7409830
发表时间：
2015-12
期刊：
2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
影响因子：
--
作者：
Y. Zhang;H. Wong;M. Sun;S. Joglekar;L. Yu;N. Braga;R. Mickevicius;T. Palacios
通讯作者：
Y. Zhang;H. Wong;M. Sun;S. Joglekar;L. Yu;N. Braga;R. Mickevicius;T. Palacios
影响因子：
4
作者：
Kuksenkov, DV;Temkin, H;Khan, MA
通讯作者：
Khan, MA
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
T. Kao;J. Kim;Y. Lee;M. Ji;T. Detchprohm;R. Dupuis;S. Shen
通讯作者：
T. Kao;J. Kim;Y. Lee;M. Ji;T. Detchprohm;R. Dupuis;S. Shen