An analysis on retention error behavior and power consumption of recent DDR4 DRAMs
An analysis on retention error behavior and power consumption of recent DDR4 DRAMs
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最新 DDR4 DRAM 的保留错误行为和功耗分析
DOI：
10.23919/date.2018.8342023
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
N. Wehn
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. M. Mathew;M. Schultheis;C. C. Rheinländer;C. Sudarshan;M. Jung;C. Weis;N. Wehn
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分析 DDR3 DRAM 功率和保留时间的平台
影响因子：
2
作者：
M. Jung;D. Mathew;C. Rheinländer;C. Weis;N. Wehn
通讯作者：
N. Wehn
SoC 中的高效可靠性管理 - 近似 DRAM 视角
DOI：
10.1109/aspdac.2016.7428043
发表时间：
2016
期刊：
2016 21st Asia and South Pacific Design Automation Conference (ASP-DAC)
影响因子：
--
作者：
Matthias Jung;Deepak M. Mathew;C. Weis;N. Wehn
通讯作者：
N. Wehn
23.2 5Gb/s/pin 8Gb LPDDR4X SDRAM，具有电源隔离 LVSTL 和带 2 芯片 ZQ 校准方案的分体芯片架构
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
IEEE International Solid-State Circuits Conference
影响因子：
--
作者：
Chang;Yoon;Jin;Junha Lee;Hye;Kihan Kim;Young;Ho;Jonghyuk Kim;Jong;Seungjun Shin;Hanna Park;Su;Young;Hoon Lee;Kyong;Jae;Hyo;Kyoung;Jung;Soobong Chang;H. Hwang;Du;Yoon;S. Hyun;Joonbae Park;Yoon;Youn;H. Kwon;Seung;T. Oh;Indal Song;Yong;J. Choi;Kwang;Seong;G. Jin
通讯作者：
G. Jin
MPSoC 中 WIDE I/O DRAM 的保留时间测量和误码率建模
DOI：
10.7873/date.2015.0258
发表时间：
2015
期刊：
2015 Design, Automation & Test in Europe Conference & Exhibition (DATE)
影响因子：
--
作者：
C. Weis;Matthias Jung;Peter Ehses;C. Santos;P. Vivet;Sven Goossens;Martijn Koedam;N. Wehn
通讯作者：
N. Wehn
省略刷新：商品和宽 I/O DRAM 的案例研究
DOI：
10.1145/2818950.2818964
发表时间：
2015
期刊：
Proceedings of the 2015 International Symposium on Memory Systems
影响因子：
--
作者：
Matthias Jung;Éder F. Zulian;Deepak M. Mathew;M. Herrmann;Christian Brugger;C. Weis;N. Wehn
通讯作者：
N. Wehn