Comparision between Ga- and N-polarity InGaN solar cells with gradient-In-composition intrinsic layers
Comparision between Ga- and N-polarity InGaN solar cells with gradient-In-composition intrinsic layers
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具有梯度 In 成分本征层的 Ga 极性和 N 极性 InGaN 太阳能电池之间的比较
DOI：
10.1088/1674-1056/25/10/108801
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发表时间：
2016-08
影响因子：
1.7
通讯作者：
Chen, Qi-Gong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gao, Wen-Gen;Jiang, Ming;Xu, Fu-Jun;Chen, Qi-Gong
比较了采用梯度成分内禀层（IL）的Ga-极性和n-极性太阳能电池的性能。结果表明，梯度IL可以大大减弱极化效应对Ga极性的负面影响，当IL中in含量自下而上呈线性增加时，其转换效率最高，η值为2.18%。这主要是由于靠近p-GaN窗口层的IL中较高的In成分导致了更多光子的吸附。相反，在n极性情况下，采用固定In组成的InGaN IL的SC结构优于采用梯度In组成的SC结构，在x = 0.62时η值最高，为9.28%。n极性SC结构被证明在高效InGaN SC中具有更大的制备潜力。
Performances of Ga- and N-polarity solar cells (SCs) adopting gradient-In-composition intrinsic layer (IL) are compared. It is found the gradient ILs can greatly weaken the negative influence from the polarization effects for the Ga- polarity case, and the highest conversion efficiency (η) of 2.18% can be obtained in the structure with a linear increase of In composition in the IL from bottom to top. This is mainly attributed to the adsorptions of more photons caused by the higher In composition in the IL closer to the p-GaN window layer. In contrast, for the N-polarity case, the SC structure with an InGaN IL adopting fixed In composition prevails over the ones adopting the gradient-In-composition IL, where the highest η of 9.28% can be obtained at x of 0.62. N-polarity SC structures are proven to have greater potential preparations in high-efficient InGaN SCs.
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影响因子：
2.6
作者：
X .M. Cai;Y. Wang;B. H. Chen;M. M. Liang;W. J. Liu;J. Y. Zhang;X. Q. Lv;L. Y. Ying;B. P. Zhang
通讯作者：
B. P. Zhang
影响因子：
3.1
作者：
S. Nacer;A. Aissat
通讯作者：
S. Nacer;A. Aissat
影响因子：
6.9
作者：
Hasna Hamzaoui;A. Bouazzi;B. Rezig
通讯作者：
Hasna Hamzaoui;A. Bouazzi;B. Rezig
影响因子：
3.2
作者：
Wu, J;Walukiewicz, W;Kurtz, S
通讯作者：
Kurtz, S
DOI：
10.1557/proc-482-985
发表时间：
1998-06
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
--
作者：
M. McCluskey;L. Romano;B. Krusor;D. Bour;C. Chua;N. Johnson;K. Yu
通讯作者：
M. McCluskey;L. Romano;B. Krusor;D. Bour;C. Chua;N. Johnson;K. Yu