Room temperature SiO2 wafer bonding by adhesion layer method
Room temperature SiO2 wafer bonding by adhesion layer method
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通过粘合层法进行室温 SiO2 晶圆键合
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tadatomo Suga
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ryuichi Kondou;Tadatomo Suga
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影响因子：
4.6
作者：
Takagi, H;Maeda, R;Suga, T
通讯作者：
Suga, T
离子晶圆的新型键合方法
影响因子：
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作者：
M. Howlader;T. Suga;M. Kim
通讯作者：
M. Kim
用于增强 SiO2-SiN 晶圆键合的纳米粘合层
影响因子：
6
作者：
R.Kondou;C.Wang;A.Shigetou;T.Suga
通讯作者：
T.Suga
使用 Ar 束表面活化将硅片室温键合到 SiO2 或 LiNbO3 基底上的 Pt 薄膜
影响因子：
1.5
作者：
H. Takagi;R. Maeda;N. Hosoda;T. Suga
通讯作者：
T. Suga
辉光放电发射光谱法 (GDS)
DOI：
10.3323/jcorr1991.42.384
发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
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作者：
Kenichi. Suzuki
通讯作者：
Kenichi. Suzuki