Strain analysis of a Ge micro disk using precession electron diffraction
Strain analysis of a Ge micro disk using precession electron diffraction
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使用进动电子衍射对 Ge 微盘进行应变分析
DOI：
10.1063/1.5113761
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发表时间：
2019
影响因子：
3.2
通讯作者：
Bashir A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bashir A
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使用动态电子衍射在浅沟槽隔离结构中进行高分辨率应变测量
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
Miyoung Kim;J. Zuo;G. Park
通讯作者：
G. Park
Si 上 Ge 层中的超载流子寿命
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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作者：
R. Geiger;J. Frigerio;M. Süess;D. Chrastina;G. Isella;Ralph Spolenak;Jérôme Faist;H. Sigg
通讯作者：
H. Sigg
作为光学增益介质的张应变 GeSn 合金
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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作者：
S. Wirths;Z. Ikonić;A. Tiedemann;B. Holländer;T. Stoica;G. Mussler;U. Breuer;J. Hartmann;A. Benedetti;S. Chiussi;D. Grützmacher;S. Mantl;D. Buca
通讯作者：
D. Buca
TEM 中自动高分辨率应变映射在 MOSFET 应变分布研究中的应用
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Darbal;Raman D. Narayan;C. Vartuli;T. Aoki;J. Mardinly;S. Nicolopoulos;J. K. Weiss
通讯作者：
J. K. Weiss
影响因子：
3.8
作者：
Koerner, Roman;Oehme, Michael;Schulze, Joerg
通讯作者：
Schulze, Joerg