Growth variations and scattering mechanisms in metamorphic In0.75Ga0.25As/In0.75 Al0.25As quantum wells grown by molecular beam epitaxy
Growth variations and scattering mechanisms in metamorphic In0.75Ga0.25As/In0.75 Al0.25As quantum wells grown by molecular beam epitaxy
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分子束外延生长变质In0.75Ga0.25As/In0.75 Al0.25As量子阱的生长变化和散射机制
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2015.02.038
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发表时间：
2015
影响因子：
1.8
通讯作者：
Chen C
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen C
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GaAs 衬底上生长的 In0.75Ga0.25As/In0.5Al0.5As 赝晶谐振隧道二极管结构的临界层厚度研究
DOI：
--
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Gozu;T. Kita;T. Kikutani;S. Yamada
通讯作者：
S. Yamada
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
I. Farrer;J. Harris;R. Thomson;D. Barlett;C. Taylor;D. Ritchie
通讯作者：
D. Ritchie
影响因子：
1.8
作者：
S. Gozu;T. Kita;Y. Sato;S. Yamada;M. Tomizawa
通讯作者：
S. Gozu;T. Kita;Y. Sato;S. Yamada;M. Tomizawa
InP 上低载流子密度 In0.75Ga0.25As 基高电子迁移率晶体管的生长温度优化
影响因子：
3.2
作者：
P. Simmonds;H. Beere;D. Ritchie;S. Holmes
通讯作者：
S. Holmes
DOI：
10.1103/physrevb.38.10798
发表时间：
1988-11
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Gold
通讯作者：
Gold