Epitaxial growth of relaxed germanium layers by reduced pressure chemical vapour deposition on (110) and (111) silicon substrates
Epitaxial growth of relaxed germanium layers by reduced pressure chemical vapour deposition on (110) and (111) silicon substrates
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通过减压化学气相沉积在（110）和（111）硅衬底上外延生长弛豫锗层
DOI：
10.1016/j.tsf.2011.10.099
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Nguyen V
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Nguyen V
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